该研究采用湖北洛克泰克仪器股份有限公司生产的PC-II型活塞圆筒装置，使用高压(0.5 GPa)和热 处理(673 K)对SnS2前驱体片进行处理，合成了单晶SnS纳米带，其长 度可达数十微米。 

 这项工作展示了一种独特的方法来合成高质量、形状可控的SnS纳米材 料，用于潜在的电子和光电子应用。

文献DOI ：10.1021/acs.nanolett.3c01879

论文单位：湖南大学，费慧龙 课题组

论文题目：High-Pressure Synthesis of Single Crystalline SnS Nanoribbons